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    • 专利摘要:
    一種有機發光顯示裝置包含薄膜電晶體，其具有主動層、閘極電極、源極電極與汲極電極、位於主動層與閘極電極之間的第一絕緣層、以及位於閘極電極上方的第二絕緣層；像素電極，其位於第一絕緣層與第二絕緣層上且連接至源極電極或汲極電極；第一接線，其位於第一絕緣層上且與閘極電極具有相同之材料；第二接線，其位於第二絕緣層上以部分地覆蓋第一接線，且包含與像素電極具有相同之材料之下接線層、以及位於下接線層之上且與源極電極與汲極電極具有相同之材料之上接線層；以及第三絕緣層，其位於第二絕緣層與像素電極之間、以及第二絕緣層與第二接線之間。
    公开号:TW201308589A
    申请号:TW101103442
    申请日:2012-02-02
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Hae-Yeon Lee；Jin-Gon Oh；Jae-Beom Choi；June-Woo Lee
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L27-00
    专利说明:
    有機發光顯示裝置及其製造方法
    相關申請案之交互參照
    本申請案主張於2011年8月10日向韓國智慧財產局提出，申請號為10-2011-0079716之韓國專利申請案之優先權效益，其全部內容納於此處作為參考。
    實施例係有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，更具體的說，有關於一種用以降低接線區域之寄生電容的有機發光顯示裝置及其製造方法。
    平板顯示裝置，例如有機發光顯示裝置或液晶顯示裝置，包含薄膜電晶體(TFT)、電容、以及連接至薄膜電晶體與電容的接線。
    平板顯示裝置係藉由於基板上形成薄膜電晶體、電容、以及接線的精密圖樣而製成，其中精密圖樣多數係藉由使用遮罩而利用用以轉移精密圖樣的光蝕刻製程而形成。
    根據一態樣，其係提供一種有機發光顯示裝置，包含：薄膜電晶體，其係設置於基板上，且包含主動層、閘極電極、源極電極、汲極電極、插設於主動層與閘極電極之間的第一絕緣層、以及插設於源極電極及汲極電極與閘極電極之間的第二絕緣層；設置於第二絕緣層上之像素電極；設置於第一絕緣層上且與閘極電極以相同之材料所形成之第一接線；設置於第二絕緣層上以部分地重疊第一接線之第二接線，第二接線包含與像素電極以相同之材料所形成的下接線層、以及設置於下接線層上且與源極電極與汲極電極以相同之材料所形成之上接線層；多個第三絕緣層，其係設置於第二絕緣層與像素電極之間、以及第二絕緣層與第二接線之間；第四絕緣層，其覆蓋源極電極、汲極電極、以及上接線層，且暴露像素電極；設置於像素電極之上且包含有機發光層之中間層；以及設置於中間層之上之相反電極。
    第一絕緣層可共同地設置於主動層之上以及第一接線之下。
    像素電極以及介於第二絕緣層與像素電極之間的第三絕緣層可具有相同之蝕刻面。
    第二接線以及介於第二絕緣層與第二接線之間的第三絕緣層可具有相同之蝕刻面。
    第三絕緣層可包含具有與第二絕緣層不同蝕刻率之材料。
    第三絕緣層可包含矽氮化物(SiNx)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、以及三氧化二鋁(Al2O3)之至少其一。
    源極電極、汲極電極、以及上接線層之材料可具有與像素電極與下接線層之不同的蝕刻率。
    像素電極可透過設置於像素電極上方之連接器而電性連接至源極電極與汲極電極之其中之一。
    有機發光顯示裝置可更包含電容，該電容包含：下電極，其與閘極電極設置於相同層；以及上電極，其包含與像素電極以相同之材料所形成之下傳導層、以及設置於下傳導層之上且與源極電極與汲極電極以相同之材料所形成之上傳導層，其中第三絕緣層之其中之一係直接設置於下電極與上電極之間。
    第一絕緣層可共同地設置於主動層之上以及下電極之下。
    第二絕緣層可不設置於上電極與下電極之間。
    上電極以及介於下電極與上電極之間的第三絕緣層可具有相同之蝕刻面。
    第三絕緣層之厚度可小於第二絕緣層之厚度。
    第三絕緣層之介電常數可大於第一絕緣層之介電常數。
    第一接線可為電性連接至閘極電極之掃描線，且第二接線可為電性連接至源極電極與汲極電極之其中之一的資料線。
    第一接線可為電性連接至下電極之電源供應線，且第二接線可為電性連接至源極電極與汲極電極之其中之一的資料線。
    第一接線可為電性連接至閘極電極之掃描線，且第二接線可為電性連接至該上電極之電源供應線。
    像素電極可為光透射電極，且相反電極可為光反射電極。
    像素電極與第二接線之下接線層可包含透明導電氧化物(TCO)，其中該透明導電氧化物包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其一。
    像素電極可為光反射電極，且相反電極可為光透射電極。
    像素電極與第二接線之下接線層可包含半透射金屬層與透明導電氧化物(TCO)，其中半透射金屬層包含銀、鋁、以及其合金所組成群組之至少其一。
    根據另一態樣，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：執行第一遮罩製程，其係藉由於基板上形成半導體層以及藉由圖樣化半導體層形成薄膜電晶體之主動層；執行第二遮罩製程，其係藉由形成第一絕緣層，且於第一絕緣層上堆疊第一傳導層，並藉由圖樣化第一傳導層以形成第一接線與薄膜電晶體之閘極電極；執行第三遮罩製程，其係藉由形成第二絕緣層且於第二絕緣層中形成孔洞以部分地暴露主動層之源極區域與汲極區域；執行第四遮罩製程，其係藉由於第三遮罩製程所獲得之結構上依序形成絕緣層與第二傳導層，且藉由同時圖樣化絕緣層與第二傳導層以形成第三絕緣層、像素電極、以及至少部分地與第一接線重疊之第二接線的下接線層；執行第五遮罩製程，其係藉由於第四遮罩製程所獲得之結構上形成第三傳導層，且藉由圖樣化第三傳導層以形成源極電極、汲極電極、以及第二接線之上接線層；以及執行第六遮罩製程，其係藉由形成第四絕緣層且移除至少一部分第四絕緣層以部分地暴露像素電極。
    方法可更包含在執行第二遮罩製程之後，以離子雜質摻雜源極區域與汲極區域。
    執行第四遮罩製程可包含蝕刻絕緣層、以及蝕刻第二傳導層。
    第三絕緣層可包含具有與第二絕緣層不同蝕刻率之材料。
    執行第五遮罩製程可包含以具有與第二傳導層不同蝕刻率之材料形成第三傳導層。
    執行第二遮罩製程亦可包含藉由圖樣化第一傳導層以形成電容之下電極；執行第四遮罩製程包含藉由同時圖樣化絕緣層與第二傳導層以形成直接設置於下電極之上的介電層以及上電極之下傳導層；以及執行第五遮罩製程包含藉由圖樣化第三傳導層以形成上電極之上傳導層。
    方法可更包含在執行第六遮罩製程之後，於已暴露之像素電極之上形成包含有機發光層之中間層，且形成面對像素電極之相反電極以覆蓋中間層。
    當各種變化與多種實施例可被允許時，例示性實施例將於圖式中繪示且於本說明書中詳細地描述。然而，例示性實施例並非旨在限制於特定之實施模式，且應理解的是任何未脫離本發明之精神與技術範疇而進行之所有變化、等效物及替代物均應涵括於此處。在本說明書中，當認為可能不必要地混淆本發明的本質時，相關技藝的部分詳細解釋係省略。
    雖然可使用一些詞彙如“第一”、“第二”等以描述各種不同構件，該些構件定不為上述詞彙所限制。上述詞彙僅用以區別一構件與另一構件。
    用於本說明書之詞彙僅用以描述例示性實施例而非旨在限制。除非在內文中有明確不同意涵，否則用以單數形式之呈現包含其複數之呈現。在本說明書中，應理解的是諸如“包含(including)”或“包含(having)”等詞彙係旨在表示於說明書中所揭露之特徵、數目、步驟、作動、構件、部件、或上述之組合，但不旨在排除可存在或可增加一或多個其他特徵、數目、步驟、作動、構件、部件、或上述之組合之可能性。
    第1圖係為根據一實施例之有機發光顯示裝置1之平面示意圖，第2圖係為第1圖之有機發光顯示裝置1之電路圖，而第3圖係為沿著第1圖之線段I-I’與II-II’所截取之剖面圖。請參閱第1圖，包含於有機發光顯示裝置1中的像素P1可包含例如掃描線S、資料線D、以及電源供應線E之複數個接線，例如切換薄膜電晶體sTFT、以及驅動薄膜電晶體dTFT之薄膜電晶體，有機發光元件EL，以及電容Cst。
    第1圖僅為描述本實施例之一範例，且有機發光顯示裝置1不限於此。換句話說，有機發光顯示裝置1可更包含除了第1圖所示之導線之外的其他導線。此外，薄膜電晶體與電容之數量可以改變。舉例而言，根據像素電路單元可使用至少三個薄膜電晶體與至少兩個電容。
    參閱第2圖，切換薄膜電晶體sTFT之閘極電極可電性連接至掃描線S，切換薄膜電晶體sTFT之第一電極可電性連接至資料線D，而切換薄膜電晶體sTFT之第二電極可連接至第一節點N1。驅動薄膜電晶體dTFT之閘極電極可連接至第一節點N1以電性連接至切換薄膜電晶體sTFT之第二電極。電容Cst可連接於電源供應線E以及第一節點N1之間。驅動薄膜電晶體dTFT之第一電極可連接至電源供應線E以接收第一電源供應電壓ELVDD。驅動薄膜電晶體dTFT之第二電極可連接至有機發光元件EL之陽極。此外，有機發光元件EL之陰極接收第二電源供應電壓ELVSS。在第2圖中，切換薄膜電晶體sTFT與驅動薄膜電晶體dTFT係為P型電晶體。然而在其他實施中，可使用其他形式的切換薄膜電晶體sTFT與驅動薄膜電晶體dTFT。舉例而言，至少一切換薄膜電晶體sTFT與驅動薄膜電晶體dTFT可為N型薄膜電晶體。此外，由於在第2圖中切換薄膜電晶體sTFT與驅動薄膜電晶體dTFT係為P型薄膜電晶體，因此第一電極可為源極電極而第二電極可為汲極電極。
    現將參照第2圖簡單描述驅動有機發光顯示裝置1之方法。首先，當提供掃描訊號至掃描線S時，係開啟切換薄膜電晶體sTFT且傳輸資料訊號至第一節點N1。資料訊號係施加至電容Cst以及驅動薄膜電晶體dTFT之閘極電極。當施加資料訊號時，電容Cst充電至對應資料訊號之電壓凖位。驅動薄膜電晶體dTFT根據資料訊號之大小產生驅動電流且輸出該驅動電流至有機發光元件EL之陽極。有機發光元件EL根據所接收的驅動電流而發出具有預定亮度之光。
    請參閱第3圖，第1圖之有機發光顯示裝置1之基板10可包含發光區域100，其具有至少一有機發光元件EL；薄膜電晶體區域200，其具有至少一薄膜電晶體TFT；儲存區域300，其具有至少一電容Cst；以及接線區域400，至少一接線係設置於其上。
    薄膜電晶體區域200可包含至少一薄膜電晶體TFT，例如驅動薄膜電晶體dTFT或切換薄膜電晶體sTFT。薄膜電晶體TFT可包含主動層212、閘極電極214、以及源極電極218a與汲極電極218b。構成閘極絕緣層之第一絕緣層13可設置於主動層212與閘極電極214之間。構成層間絕緣層之第二絕緣層15可設置於閘極電極214以及源極電極218a與汲極電極218b之間。以高濃度雜質摻雜之源極區域212a與汲極區域212b可分別地形成於主動層212之兩側，且分別地透過接觸孔C1與C2而穿過第一絕緣層13與第二絕緣層15以電性連接至源極電極218a與汲極電極218b。為了便於描述，第3圖僅顯示電性連接至有機發光元件EL且供應電流至有機發光元件EL的驅動薄膜電晶體dTFT。然而，切換薄膜電晶體sTFT可具有與驅動薄膜電晶體dTFT相同或相似的結構。
    儲存區域300可包含至少一電容Cst。即使在切換薄膜電晶體sTFT關閉之後，電容Cst仍將施加至驅動薄膜電晶體dTFT之訊號充電。電容Cst可包含作為電極的下電極314與上電極310、以及可設置於下電極314與上電極310之間作為介電層的第三絕緣層416。可與閘極電極214以相同之材料所形成之下電極314可設置於第一絕緣層13之上。上電極310可包含下傳導層317與上傳導層318，其中下傳導層317可與將於下描述之像素電極117以相同之材料所形成，且上傳導層318可與源極電極218a與汲極電極218b以相同之材料所形成。第二絕緣層15並未設置於下電極314與上電極310之間，且在實施例中，構成介電層之第三絕緣層416可直接設置於下電極314以及上電極310之間。如同將於下描述的，第三絕緣層416之厚度可小於第二絕緣層15之厚度、及/或第三絕緣層416之介電常數可大於第一絕緣層13之介電常數，從而改善電容Cst之靜電容。參閱第1圖，上電極310可透過接觸孔CT2而電性連接至電源供應線E，且下電極314可電性連接至閘極電極214，但其他的實施方式是可能的。
    發光區域100可包含有機發光元件EL。有機發光元件EL可包含電性連接至薄膜電晶體TFT之源極電極218a與汲極電極218b之其中之一的像素電極117、面對像素電極117之相反電極119、以及設置於像素電極117與相反電極119之間的中間層118。像素電極117可設置於依序設置於基板10上之包含第一絕緣層13、第二絕緣層15、以及第三絕緣層416之結構上。當有機發光顯示裝置1為朝向基板10發光之底部發射型顯示裝置時，像素電極117可為光透射電極而相反電極119可為光反射電極。另一方面，當有機發光顯示裝置1為以離開基板10之方向發射光線的頂部發射型顯示裝置時，像素電極117可為包含半透射金屬層之光反射電極，而相反電極119可為光透射電極。在一實施例中，有機發光顯示裝置1可為藉由結合頂部發射型顯示裝置與底部發射型顯示裝置而以兩個方向發光之雙向發射型顯示裝置。
    接線區域400可包含至少一接線。此處之詞彙“接線”係為藉由電性連接包含於有機發光顯示裝置1中之薄膜電晶體TFT、電容Cst、有機發光元件EL、驅動積體電路(IC)(圖未示)等而傳輸電流、電壓、或訊號之結構的通用性詞彙。因此，除了掃描線S、資料線D、以及電源供應線E之外，該至少一接線可包含各種不同訊號線，例如時鐘線(clock line)以及初始訊號輸入線(initial signal input line)，以傳輸訊號(例如CLK、CLKB、或SP)而用於驅動各種不同驅動積體電路。接線可設置於包含像素陣列而顯示影像之顯示區域，或於包含各種不同墊片(pads)用以連接外部積體電路之非顯示區域。舉例而言，設置於非顯示區域的接線可集中地設置於介於顯示區域以及墊片之間的扇出區域(fan-out region)。這樣的接線可根據元件以及驅動積體電路之間的連結而設置於不同層。
    根據一實施例，於至少部分地重疊且設置於不同層之上層接線與下層接線之間產生的寄生電容可被降低，且可降低上層接線與下層接線之間產生之短路。因此，構成接線絕緣層之第三絕緣層416可設置於構成上層接線之第二接線410以及構成下層接線之第一接線414之間。
    參閱第3圖，第一接線414可與閘極電極214以及下電極314設置於相同之第一絕緣層13之上。第二接線410可設置於第二絕緣層15以及構成接線絕緣層之第三絕緣層416之上。第二接線410可包含下接線層417以及上接線層418，其中下接線層417可與像素電極117以相同之材料所形成，且上接線層418可與源極電極218a與汲極電極218b以相同之材料所形成。第一接線414與第二接線410可至少部分地重疊，且第三絕緣層416可降低在第一接線414與第二接線410重疊時可能產生之寄生電容以及短路。
    參閱第1圖的圓圈a，第二接線410可為資料線D，且第一接線414可為電源供應線E。第二接線410可以行(row)方向延伸而第一接線414可以列(column)方向延伸，使得第二接線410與第一接線414至少部分地重疊。
    根據另一實施例，第二接線410可為資料線D，而第一接線414可為掃描線S。參閱第1圖之圓圈b，第二接線410可為透過接觸孔CT1而電性連接至切換薄膜電晶體sTFT之源極或汲極電極218s的資料線D，而第一接線414可為電性連接至切換薄膜電晶體sTFT之閘極電極214s的掃描線S。資料線D與掃描線S可相互以直角交錯之方向延伸。因此資料線D與掃描線S可至少部分地重疊。
    根據另一實施例，第二接線410可為電源供應線E而第一接線414可為掃描線S。請參閱第1圖之圓圈c，第二接線410可為電性連接至電容Cst之上電極310的電源供應線E，而第一接線414可為電性連接至切換薄膜電晶體sTFT之閘極電極214s的掃描線S。如第1圖所示，電源供應線E與掃描線S可部分地重疊。
    用以傳輸資料訊號之資料線D、用以傳輸掃描訊號之掃描線S、以及用以傳輸第一電源供應電壓ELVDD之電源供應線E可作為位於不同層之上層接線與下層接線而存在，且因此可部分地重疊配置。每一接線可以導電材料所形成，且絕緣層可設置於上層接線與下層接線之間。因此，可能形成包含分別作為上電極與下電極之上層接線與下層接線、以及設置於上層接線與下層接線之間作為介電層之絕緣層的寄生電容器。此寄生電容器之寄生電容可在整個面板中產生電阻電容延遲(RC delay)。寄生電容係根據下列方程式1所決定。此處，C代表寄生電容、ε代表絕緣層之介電常數、A代表重疊接線之區域、且d代表上層接線與下層接線之間的距離。
    方程式1
    然而，根據一實施例，接線絕緣層可更設置於上層接線與下層接線之間。因此可增加上層接線與下層接線之間的距離d，而可降低寄生電容。因此，可降低面板之電阻電容延遲(RC delay)。當第二接線410包含兩個接線，亦即上接線層418與下接線層417時，電阻可降低。故可改善電阻電位降(IR drop)。
    參閱第1圖與第3圖，第三絕緣層416可與像素電極117、下傳導層317、以及下接線層417形成於相同之圖樣製程中。因此第三絕緣層416並未形成於第二接線410以及切換薄膜電晶體sTFT之主動層212s相互接觸之接觸孔CT1中，且並未形成於第一接線414以及第二接線410相互接觸之接觸孔CT2中。此外，接觸孔CT1與CT2中構成上層接線的第二接線410可僅具有上接線層418，而可不具有下接線層417。如同將於後文中所描述的，電性連結係為接觸孔CT1與CT2的重點。因此理論上包含絕緣材料之第三絕緣層416不會形成於接觸孔CT1與CT2中。為了不將第三絕緣層416設置於接觸孔CT1與CT2中，第三絕緣層416可透過單一製程與下接線層417同時形成。故接觸孔CT1與CT2中可能不形成下接線層417，而可能僅形成上接線層418。
    下文中將參照第4圖至第9圖描述製造有機發光顯示裝置1之方法。
    首先如第4圖所示，輔助層11可形成於基板10上。
    基板10可為透明基板，例如玻璃基板或包含聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、或聚亞醯胺(polyimide)之塑膠基板。
    用以避免雜質離子擴散進入基板10、避免濕氣或外部空氣滲入基板10、以及平坦化基板10之表面的輔助層11，例如阻擋層、阻隔層、及/或緩衝層可形成於基板10上。輔助層11可為由二氧化矽(SiO2)或矽氮化物(SiNx)所形成之單層或複數層，且可藉由利用沉積法所形成，例如電漿輔助化學氣相沉積法(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、大氣壓力化學氣相沉積法(atmosphere pressure CVD, APCVD)、或低壓化學氣相沉積法(low pressure CVD, LPCVD)。
    接著，主動層212可形成於薄膜電晶體區域200中的輔助層11上。詳細地說，可藉由首先於輔助層11上沉積非晶矽層(圖未示)且結晶該無晶矽層而形成多晶矽層(圖未示)。非晶矽層可使用任何方法而結晶，例如快速熱退火法(rapid thermal annealing, RTA)、固相結晶法(solid phase crystallization, SPC)、準分子雷射退火法(excimer laser annealing, ELA)、金屬誘導結晶法(metal-induced crystallization, MIC)、金屬誘導側向結晶法(metal-induced lateral crystallization, MILC)、或順序橫向固化法(sequential lateral solidification, SLS)。接著藉由使用第一遮罩(圖未示)之第一遮罩製程可將多晶矽層圖樣化為薄膜電晶體TFT之主動層212。
    接著如第5A圖所示，第一絕緣層13與第一傳導層14可依序形成於其上可形成有主動層212之基板10的整個表面。
    第一絕緣層13可藉由使用無機絕緣材料，例如矽氧化物(SiOx)、矽氮氮化物(SiON)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鍶鋇(BST)、或鈦酸鉛鋯(PZT)，透過例如電漿輔助化學氣相沉積法、大氣壓力化學氣相沉積法、或低壓化學氣相沉積法之方法而沉積。作為另一示例，第一絕緣層13可由有機絕緣材料所形成。第一絕緣層13可操作作為介於薄膜電晶體TFT之主動層212與閘極電極214之間的薄膜電晶體TFT之閘極絕緣層。
    用作為閘極絕緣層之第一絕緣層13並未用為將於下文本實施例中所描述之電容Cst的介電層。因此，第一絕緣層13可基於薄膜電晶體TFT之閘極絕緣層的特性而設計而無需考慮電容Cst之介電常數特性。舉例而言，當為了增加電容Cst之靜電容而將常用於作為電容Cst之介電層的矽氮化物同時用於作為薄膜電晶體TFT之閘極絕緣層時，可能會在薄膜電晶體TFT產生漏電流。然而根據本實施例，電容Cst之介電層以及薄膜電晶體TFT之閘極絕緣層可分別地形成。因此，介電層與閘極絕緣層可僅考慮電容Cst與薄膜電晶體TFT之特性而做選擇。
    第一傳導層14可為由選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、以及銅(Cu)之至少一金屬所形成之單層或多層結構。
    接下來如第5B圖所示，閘極電極214可形成於薄膜電晶體區域200上，下電極314可形成於儲存區域300上，而第一接線414可形成於接線區域400上。
    詳細地說，形成於基板10之整個表面上的第一傳導層14可透過使用第二遮罩(圖未示)之遮罩製程而圖樣化。
    下電極314可形成於儲存區域300中且第一接線414可形成於接線區域400中，且如第5B圖所示，下電極314與閘極電極214可相互分離。在另一實施例中，下電極314與閘極電極214可為一體成型的，如第1圖所示。
    閘極電極214可形成以對應至主動層212之中心。位於主動層212兩側而對應至閘極電極214之邊緣的源極區域212a與汲極區域212b、以及位於源極區域212a與汲極區域212b之間的通道區域212c可藉由使用閘極電極214作為自動對準遮罩以摻雜n型或p型雜質而形成。此處，n型或p型雜質可為硼(B)離子或磷(P)離子。
    接著如第6圖所示，第二絕緣層15可沉積於第5B圖之所得結構上，且接著可圖樣化第一絕緣層13及/或第二絕緣層15以形成接觸孔C1與C2以及第一開口H1。
    第二絕緣層15可由選自矽氧化物、矽氮化物(SiNx)、矽氮氮化物、三氧化二鋁、二氧化鈦、五氧化二鉭、二氧化鉿、二氧化鋯、鈦酸鍶鋇(BST)、以及鈦酸鉛鋯(PZT)之無機絕緣材料所形成。第二絕緣層15可由與第一絕緣層13之材料具有不同折射係數之材料所形成。第二絕緣層15的厚度可具有足夠的厚度，例如可厚於第一絕緣層13的厚度，以執行介於閘極電極214以及源極電極218a與汲極電極218b之間的層間絕緣層的功能。第二絕緣層15不僅可由上述之無機絕緣材料所形成，亦可由有機絕緣材料所形成，或可藉由交錯地堆疊有機絕緣材料與無機絕緣材料所形成。
    詳細地說，接觸孔C1與C2以及第一開口H1可藉由透過使用第三遮罩(圖未示)之遮罩製程以圖樣化第二絕緣層15及/或第一絕緣層13所形成。
    接觸孔C1與C2可形成以暴露主動層212之源極區域212a與汲極區域212b的一部分。第一開口H1可形成以部分地暴露電容Cst之下電極314。
    根據一實施例，由於第一開口H1，第二絕緣層15並未設置於電容Cst之上電極310與下電極314之間。然而，第二絕緣層15可設置而作為介於薄膜電晶體TFT之閘極電極214以及源極電極218a與汲極電極218b之間的層間絕緣層。此處之敘述“第二絕緣層15並未設置於電容Cst之上電極310與下電極314之間”可意指第二絕緣層15不操作作為電容Cst之介電層。舉例而言，如第6圖所示，第二絕緣層15可設置以稍微地與下電極314之邊緣重疊。此重疊部分可為在藉由圖樣化第二絕緣層15而形成暴露下電極314之第一開口H1時所殘留之部分。若在圖樣化第二絕緣層15時完全暴露電容Cst之下電極314，則可能在下電極314與形成於第三絕緣層416之上的上電極310之間產生漏電流。因此，第二絕緣層15可部分地覆蓋下電極314之邊緣而不暴露整個下電極314。藉此可避免介於上電極310以及下電極314之間的漏電流。
    操作作為薄膜電晶體TFT之層間絕緣層的第二絕緣層15可具有考慮薄膜電晶體TFT之特性的至少一預定厚度，但是由於電容Cst之靜電容隨著介電層之厚度的增加而減少，因此若介電層與層間絕緣層具有相同厚度可能減少靜電容。
    然而，根據本實施例，第二絕緣層15並未用作電容Cst之介電層，且將於下文中描述之用作為介電層之第三絕緣層416可具有比第二絕緣層15較薄之厚度。因此可避免靜電容之降低。
    接下來如第7A圖與第7B圖所示，像素電極117可形成於發光區域100中，用以形成上電極310之下傳導層317可形成在儲存區域300中，且用以形成第二接線410之下接線層417可形成在接線區域400中。
    詳細地說，絕緣層16以及第二傳導層17可依序地形成在第6圖所得之結構上，如第7A圖所示，且絕緣層16與第二傳導層17可透過使用第四遮罩(圖未示)之遮罩製程而同時圖樣化，如第7B圖所示，以分別形成第三絕緣層416，以及像素電極117、下傳導層317與下接線層418。
    絕緣層16可由選自二氧化矽、矽氮化物、矽氮氧化物、三氧化二鋁、二氧化鈦、五氧化二鉭、二氧化鉿、二氧化鋯、鈦酸鍶鋇(BST)、及鈦酸鉛鋯(PZT)之無機絕緣材料所形成，且可以由與輔助層11、第一絕緣層13、及第二絕緣層15之材料具有不同折射係數之材料所形成。因此，可交錯地堆疊具有不同折射係數之絕緣層以操作作為分佈式布拉格反射器(distributed Bragg reflector, DBR)，從而增進由有機發光層所發出之光線的發光效率。絕緣層16可由有機絕緣材料所形成。
    用以作為介電層之第三絕緣層416之厚度可小於第二絕緣層15之厚度。因此，當第三絕緣層416操作作為電容Cst之介電層時電容Cst之靜電容不會降低。舉例而言，第三絕緣層416之厚度可形成為約500 A至約2000 A以使適當的靜電容可維持。
    用以作為介電層之第三絕緣層416可由具有高介電常數之絕緣材料所形成。如上所述，第三絕緣層416可形成為與形成閘極絕緣層之第一絕緣層13分開之層。因此，藉由使用具有介電常數高於第一絕緣層13之材料而形成第三絕緣層416可增加靜電容。無需增加電容Cst之面積即可增加靜電容，因此藉由相對地增加像素電極117之面積可增加有機發光顯示裝置1之孔徑比(aperture ratio)。
    絕緣層16可以具有與第二絕緣層15不同蝕刻率之材料所形成，因此當圖樣化絕緣層16而第二絕緣層15亦暴露於蝕刻液時第二絕緣層15不會受到傷害。當圖樣化絕緣層16時第二絕緣層15並未被蝕刻。因此可維持上層與下層接線之間的距離，故不會增加寄生電容。
    當有機發光顯示裝置1為底部發射型顯示裝置時，第二傳導層17可由透明導電氧化物所形成。舉例而言，第二傳導層17可由選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之材料所形成。
    在另一個實施例中，當有機發光顯示裝置1為頂部發射型顯示裝置時，第二傳導層17不僅可由透明導電氧化物所形成，亦可藉由於透明導電氧化物層上沉積半透射金屬層而形成為複數層。半透射金屬層可由選自銀、銀合金、鋁、以及鋁合金之至少ㄧ材料所形成。
    根據使用第四遮罩之遮罩製程，發光區域100之絕緣層16與第二傳導層17可被圖樣化為位於像素電極117之下的第三絕緣層416以及像素電極117。儲存區域300之絕緣層16以及第二傳導層17可被圖樣化為電容Cst之第三絕緣層416以及上電極310之下傳導層317。又，接線區域400之絕緣層16以及第二傳導層17可被圖樣化為第三絕緣層416以及第二接線410之下接線層417。
    如上所述，絕緣層16以及第二傳導層17可於相同遮罩製程中同時被圖樣化。因此第三絕緣層以及第二傳導層之部分將不可能留下或移除。絕緣層16以及第二傳導層17可自對應於為了電性連接之接觸孔C1與C2以及CT1與CT2的位置移除，且僅有將於下文中敘述之第三傳導層可填滿其間。
    雖然絕緣層16以及第二傳導層17可於相同之遮罩製程中圖樣化，由於絕緣層16以及第二傳導層17可由不同之材料所形成，係可能要執行兩次蝕刻製程。換句話說，蝕刻製程可包含蝕刻絕緣層16之製程以及蝕刻第二傳導層17之製程。
    然而，絕緣層16以及第二傳導層17可於相同遮罩製程中被蝕刻。因此，絕緣層16以及第二傳導層17，亦即位於像素電極117下方的第三絕緣層416以及像素電極117之蝕刻面可為相同的，第三絕緣層416與下傳導層317之蝕刻面可為相同的，且第三絕緣層416與下接線層417之蝕刻面可為相同的。詞彙“相同蝕刻面”意指當蝕刻像素電極117、下傳導層317或下接線層417下方之第三絕緣層416時，像素電極117、下傳導層317或下接線層417操作作用為蝕刻遮罩，因此其蝕刻面會幾乎相同。
    絕緣層16可藉由直接設置於電容Cst之上電極310以及下電極314之間而操作作為電容Cst之介電層，且由於第三絕緣層416並未設置於薄膜電晶體TFT中，故不作為閘極絕緣層。絕緣層16之材料或厚度可僅藉由考慮電容Cst之特性而選擇，無需考慮薄膜電晶體TFT之特性。因此可增加設計製程的自由度。
    絕緣層16可操作作為介於至少部分地相互重疊之第一接線414與第二接線410之間的第三絕緣層416。因此，第三絕緣層416可操作作為介於第一接線414與第二接線410之間的介電層，進而降低寄生電容。當寄生電容如此降低時，可改善電阻電容延遲(RC delay)，且獲得有機發光顯示裝置1之驅動裕度(driving margin)。此處，絕緣層可更設置於第一接線414與第二接線410之間。因此可避免第一接線414與第二接線410之間的電性短路。可製造具有高可靠度之有機發光顯示裝置1。
    接著如第8圖所示，可形成薄膜電晶體TFT之源極電極218a與汲極電極218b、上電極310之上傳導層318、以及第二接線410之上接線層418。
    詳細地說，第三傳導層(圖未示)可形成在基板10的整個表面上以覆蓋第7圖之所得結構。源極電極218a與汲極電極218b、上電極310之上傳導層318、以及第二接線410之上接線層418可藉由透過使用第五遮罩(圖未示)之遮罩製程以圖樣化第三傳導層而形成。
    第三傳導層可由低電阻導電材料所形成。舉例而言，第三傳導層可包含由選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)之至少一金屬所形成之單層或多層結構。第三傳導層可具有足夠厚度以填滿暴露源極區域212a與汲極區域212b之接觸孔C1與C2。
    第三傳導層可藉由使用第五遮罩之遮罩製程而被圖樣化為透過接觸孔C1與C2連接至主動層212之源極區域212a與汲極區域212b之源極電極218a與汲極電極218b。源極電極218a與汲極電極218b之其中之一可電性連接至像素電極117。在本實施例中，由於源極電極218a與汲極電極218b可於形成像素電極117之後形成，連接至像素電極117之源極電極218a或汲極電極218b的連接器可形成於像素電極117之上。此外，第三傳導層可被圖樣化為儲存區域300之上傳導層318以及接線區域400之上接線層418。
    由第二傳導層17所形成之像素電極117、下傳導層317、以及下接線層417在蝕刻第三傳導層時亦可能暴露於蝕刻液中。因此，第三傳導層可以具有與第二傳導層17不同蝕刻率之材料所形成，以避免對第二傳導層17之傷害。源極電極218a與汲極電極218b、上傳導層318、以及上接線層418可包含與像素電極117、下傳導層317、以及下接線層417具有不同蝕刻率之材料。
    接著如第9圖所示，第四絕緣層19可形成為部分地暴露像素電極117之像素定義層。
    詳細地說，第四絕緣層19可形成於其上已形成有第8圖之所得結構之基板10的整個表面，且接著可藉由透過使用第六遮罩(圖未示)之遮罩製程而圖樣化第四絕緣層19，以形成第二開口H2於第四絕緣層19中而暴露像素電極117之中央，從而定義一像素。
    第四絕緣層19可包含通用之聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)或聚苯乙烯(polystyrene, PS)、具有酚基(phenol group)之聚合物衍生物、丙烯醯基(acryl-based)聚合物、亞醯胺基(imide-based)聚合物、芳基醚基(aryl ether-based)聚合物、醯胺基(amide-based)聚合物、氟基(fluorine-based)聚合物、對二甲苯基(p-xylene-based)聚合物、乙烯醇基(vinyl alcohol-based)聚合物、或其混合物。在其他實施例中，第四絕緣層19可不僅以如上所述之有機絕緣材料所形成，亦可以絕緣材料所形成。在另一實施例中，第四絕緣層19可具有其中有機絕緣材料與無機絕緣材料彼此交錯地堆疊的多層結構。
    第二開口H2可形成以暴露像素電極117的中央。除了定義發光區域之外，第二開口H2可增加像素電極117與相反電極119之邊緣之間的間距，從而避免電場集中於像素電極117之邊緣。因此，可避免像素電極117與相反電極119的短路。
    接著，如第3圖所示，在使用第六遮罩之遮罩製程之後，包含有機發光層之中間層118可形成於部分地由第二開口H2所暴露之像素電極117上。
    中間層118可具有一單層或複合結構，其中發射層(EML)以及選自電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、與電子注入層(EIL)中之至少一功能層係相互堆疊。
    發射層可由低分子量有機材料或高分子量有機材料所形成。
    當發射層由低分子量有機材料所形成時，中間層118可藉由自發射層朝向像素電極117之方向堆疊電洞傳輸層(HTL)與電洞注入層(HIL)以及朝向相反電極119之方向堆疊電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)而形成。若需要亦可堆疊其他各種層。此處，低分子量有機材料之範例包含銅鈦菁(copper phthalocyanine, CuPc)、 N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺 [N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)]、以及三-8-羥基喹啉鋁(tris-8- hydroxyquinoline aluminum, Alq3)。
    另一方面，當發射層由高分子有機材料所形成時，中間層118可包含自發射層朝向像素電極117之方向的電洞傳輸層(HTL)。電洞傳輸層(HTL)可由聚-(3,4)- 乙烯基-二羥基噻吩 [oly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene, PEDOT]或聚苯胺(polyaniline, PANI)所形成。
    構成共同電極之相反電極119可形成於中間層118上。根據本實施例之有機發光顯示裝置1，像素電極117可用作陽極而相反電極119可用作陰極，或互調。
    當有機發光顯示裝置1為底部發射型顯示裝置時，相反電極119可為包含反射材料之反射電極。相反電極119可藉由包含選自鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、以及氟化鋰/鋁之至少一材料而較厚。
    當有機發光顯示裝置1為頂部發射型顯示裝置時，相反電極119可較薄且可包含選自鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、以及氟化鋰/鋁之至少一材料。此處，相反電極119之厚度可約為100 A至約300 A以具有高透射性。
    雖然並未顯示於第3圖中，根據本實施例之有機發光顯示裝置1可更包含封裝件(圖未示)以封裝包含發光區域100、薄膜電晶體區域200、儲存區域300、以及接線區域400之部分的顯示區域。封裝件可為包含玻璃材料、金屬材料之基板，或為藉由交錯地堆疊有機絕緣層與無機絕緣層所形成之封裝薄膜。
    第10A圖與第10B圖係為顯示相較於傳統有機發光顯示裝置之接線區域的電阻電容延遲(RC delay)，第1圖之有機發光顯示裝置1之接線區域400的電阻電容延遲(RC delay)更為改善之示意圖。
    參閱第10A圖與第10B圖，範例1顯示有機發光顯示裝置1之接線區域400的電阻電容延遲(RC delay)，且範例2顯示不包含接線區域之接線絕緣薄膜的傳統有機發光顯示裝置的電阻電容延遲(RC delay)。
    如第10A圖所示，在範例1中之電阻電容延遲(RC delay)係低於在範例2中之電阻電容延遲(RC delay)。檢視第10B圖中對應至輸入訊號之輸出訊號的波型圖，範例2之電阻電容延遲(RC delay)係高於範例1之電阻電容延遲(RC delay)，且因此輸出訊號之失真較高。換句話說，範例1之電阻電容延遲(RC delay)相較於範例2之電阻電容延遲(RC delay)更為改善。
    有機發光顯示裝置1係作為範例而描述，但此處所描述之主題可應用至包含液晶顯示裝置之其他顯示裝置。
    此外，在圖式中描繪了一個薄膜電晶體與一個電容，但圖式僅為了便於描述且所描述之主題可包含複數個薄膜電晶體與複數個電容。而遮罩製程的數目理論上並不會增加。
    藉由總結與回顧，根據典型光蝕刻製程，光阻係均勻地塗佈於圖樣將形成於其上的基板之上，光阻係藉由使用例如步進器(stepper)之曝光裝置而曝光，且若光阻為正光阻，則可顯影被暴露的光阻。在顯影光阻之後，基板上的圖樣係藉由使用剩餘之光阻而蝕刻且移除不需要的光阻。
    在此圖樣藉由使用遮罩而轉移之製程中，首先一般會準備包含所需圖樣之遮罩，且因此當使用遮罩之製程的數目增加時，會增加準備遮罩之製造成本。進一步來說，製造製程相當複雜，由於執行上述的複雜製程，故增加製造時間與製造成本。因此，希望藉由降低使用遮罩轉移圖樣之製程的數目來製造平板顯示裝置。
    此外，設置於不同層上之接線可於一預定區域相互重疊。寄生電容可能藉由在此預定區域中的上層接線與下層接線而形成，因此可能在上層接線與下層接線之間產生短路，進而於平板顯示裝置中產生缺陷。
    根據至少一實施例，有機發光顯示裝置1可透過六個遮罩製程而製造，且絕緣層可額外地設置於接線區域中的上層接線與下層接線之間。因此可降低由於上層接線與下層接線造成的寄生電容，且可降低面板之電阻電容延遲，且可避免上層接線與下層接線之間的短路。故此處所揭露之實施例可提供一種具有簡單的製造製程以及良好的訊號傳輸之有機發光顯示裝置，及其製造方法。此外，此處所揭露之實施例可提供一種其中降低接線區域中寄生電容的有機發光顯示裝置、及其製造方法。
    雖然實施例已參照其例示性實施例具體地顯現與描述，其將為所屬技術領域中具有通常知識者理解的是，在未脫離後附之申請專利範圍中所定義之精神與範疇下，可對其進行各種形式及細節的變更。
    1．．．有機發光顯示裝置
    10．．．基板
    11．．．輔助層
    13．．．第一絕緣層
    14．．．第一傳導層
    15．．．第二絕緣層
    16．．．絕緣層
    17．．．第二傳導層
    19．．．第四絕緣層
    100．．．發光區域
    117．．．像素電極
    118．．．中間層
    119．．．相反電極
    200．．．薄膜電晶體區域
    212、212s．．．主動層
    212a．．．源極區域
    212b．．．汲極區域
    212c．．．通道區域
    214、214s．．．閘極電極
    218a．．．源極電極
    218b．．．汲極電極
    218s．．．源極或汲極電極
    300．．．儲存區域
    310．．．上電極
    314．．．下電極
    317．．．下傳導層
    318．．．上傳導層
    400．．．接線區域
    410．．．第二接線
    414．．．第一接線
    416．．．第三絕緣層
    417．．．下接線層
    418．．．上接線層
    C1、C2、CT1、CT2．．．接觸孔
    Cst．．．電容
    D．．．資料線
    E．．．電源供應線
    EL．．．有機發光元件
    ELVDD．．．第一電源供應電壓
    ELVSS．．．第二電源供應電壓
    H1．．．第一開口
    H2．．．第二開口
    N1．．．第一節點
    P1．．．像素
    S．．．掃描線
    TFT．．．薄膜電晶體
    dTFT．．．驅動薄膜電晶體
    sTFT．．．切換薄膜電晶體
    a、b、c．．．圓圈
    藉由參考附圖以詳細說明其例示性實施例，上述與其他特點將更為顯而易見，其中：第1圖係為根據一實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；第2圖係為第1圖之有機發光顯示裝置之電路圖；第3圖係為沿著第1圖之線段I-I’與線段II-II’所截取之剖面圖；第4圖係為用以描述第1圖之有機發光顯示裝置之第一遮罩製程的剖面圖；第5A圖與第5B圖係為用以描述第1圖之有機發光顯示裝置之第二遮罩製程之剖面圖；第6圖係為用以描述第1圖之有機發光顯示裝置之第三遮罩製程之剖面圖；第7A圖與第7B圖係為用以描述第1圖之有機發光顯示裝置之第四遮罩製程之剖面圖；第8圖係為用以描述第1圖之有機發光顯示裝置之第五遮罩製程之剖面圖；第9圖係為用以描述第1圖之有機發光顯示裝置之第六遮罩製程之剖面圖；以及第10A圖與第10B圖係為顯示相較於傳統有機發光顯示裝置之接線區域的電阻電容延遲(RC delay)，第1圖之有機發光顯示裝置之接線區域的電阻電容延遲更為改善之示意圖。
    1．．．有機發光顯示裝置
    10．．．基板
    11．．．輔助層
    13．．．第一絕緣層
    15．．．第二絕緣層
    19．．．第四絕緣層
    100．．．發光區域
    117．．．像素電極
    118．．．中間層
    119．．．相反電極
    200．．．薄膜電晶體區域
    212．．．主動層
    212a．．．源極區域
    212b．．．汲極區域
    212c．．．通道區域
    214．．．閘極電極
    218a．．．源極電極
    218b．．．汲極電極
    300．．．儲存區域
    310．．．上電極
    314．．．下電極
    317．．．下傳導層
    318．．．上傳導層
    400．．．接線區域
    410．．．第二接線
    414．．．第一接線
    416．．．第三絕緣層
    417．．．下接線層
    418．．．上接線層
    C1、C2．．．接觸孔
    Cst．．．電容
    EL．．．有機發光元件
    TFT．．．薄膜電晶體
    权利要求:
    Claims (28)
    [1] 一種有機發光顯示裝置，其包含：一薄膜電晶體，其係設置於一基板上，且包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、一汲極電極、插設於該主動層與該閘極電極之間的一第一絕緣層、以及插設於該源極電極及該汲極電極與該閘極電極之間的一第二絕緣層；一像素電極，其係設置於該第二絕緣層上；一第一接線，其係設置於該第一絕緣層上且與該閘極電極相同之材料所形成；一第二接線，其係設置於該第二絕緣層上以部分地重疊該第一接線，該第二接線包含與該像素電極相同之材料所形成的一下接線層、以及設置於該下接線層上且與該源極電極與該汲極電極相同之材料所形成之一上接線層；多個第三絕緣層，其係設置於該第二絕緣層與該像素電極之間、以及該第二絕緣層與該第二接線之間；一第四絕緣層，其覆蓋該源極電極、該汲極電極、以及該上接線層，且暴露該像素電極；一中間層，其係設置於該像素電極之上且包含一有機發光層；以及一相反電極，其係設置於該中間層之上。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層係共同地設置於該主動層之上以及該第一接線之下。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極以及介於該第二絕緣層與該像素電極之間的該第三絕緣層具有相同之蝕刻面。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二接線以及介於該第二絕緣層與該第二接線之間的該第三絕緣層具有相同之蝕刻面。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三絕緣層包含矽氮化物(SiNx)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、以及三氧化二鋁(Al2O3)之至少其一。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三絕緣層包含具有與該第二絕緣層不同蝕刻率之材料。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該源極電極、該汲極電極、以及該上接線層之材料具有與該像素電極與該下接線層之不同的蝕刻率。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極係透過設置於該像素電極上方之一連接器而電性連接至該源極電極與該汲極電極之其中之一。
    [9] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一電容，該電容包含：一下電極，其係與該閘極電極設置於相同層；以及一上電極，其包含與該像素電極相同之材料所形成之一下傳導層、以及設置於該下傳導層之上且與該源極電極與該汲極電極相同之材料所形成之一上傳導層，其中該些第三絕緣層之其中之一係直接設置於該下電極與該上電極之間。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層係共同地設置於該主動層之上以及該下電極之下。
    [11] 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二絕緣層並未設置於該上電極與該下電極之間。
    [12] 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該上電極以及介於該下電極與該上電極之間的該第三絕緣層具有相同之蝕刻面。
    [13] 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三絕緣層之厚度係小於該第二絕緣層之厚度。
    [14] 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三絕緣層之介電常數係大於該第一絕緣層之介電常數。
    [15] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一接線係為電性連接至該閘極電極之一掃描線，且該第二接線係為電性連接至該源極電極與該汲極電極之其中之一的一資料線。
    [16] 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一接線係為電性連接至該下電極之一電源供應線，且該第二接線係為電性連接至該源極電極與該汲極電極之其中之一的一資料線。
    [17] 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一接線係為電性連接至該閘極電極之一掃描線，且該第二接線係為電性連接至該上電極之一電源供應線。
    [18] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極係為一光透射電極，且該相反電極係為ㄧ光反射電極。
    [19] 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極與該第二接線之該下接線層包含一透明導電氧化物(TCO)，其中該透明導電氧化物包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其一。
    [20] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極係為ㄧ光反射電極，且該相反電極係為ㄧ光透射電極。
    [21] 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極與該第二接線之該下接線層包含一半透射金屬層與一透明導電氧化物(TCO)，其中該半透射金屬層包含銀、鋁、以及其合金之至少其一。
    [22] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：執行一第一遮罩製程，其係藉由於一基板上形成一半導體層以及藉由圖樣化該半導體層形成一薄膜電晶體之一主動層；執行一第二遮罩製程，其係藉由形成一第一絕緣層，且於該第一絕緣層上堆疊一第一傳導層，並藉由圖樣化該第一傳導層形成一第一接線與該薄膜電晶體之一閘極電極；執行一第三遮罩製程，其係藉由形成一第二絕緣層且於該第二絕緣層中形成孔洞以部分地暴露該主動層之一源極區域與一汲極區域；執行一第四遮罩製程，其係藉由於該第三遮罩製程所獲得之結構上依序形成一絕緣層與一第二傳導層，且藉由同時圖樣化該絕緣層與該第二傳導層以形成一第三絕緣層、一像素電極、以及至少部分地與該第一接線重疊之一第二接線的一下接線層；執行一第五遮罩製程，其係藉由該第四遮罩製程所獲得之結構上形成一第三傳導層，且藉由圖樣化該第三傳導層以形成一源極電極、一汲極電極、以及該第二接線之一上接線層；以及執行一第六遮罩製程，其係藉由形成一第四絕緣層且移除至少一部分該第四絕緣層以部分地暴露該像素電極。
    [23] 如申請專利範圍第22項所述之方法，更包含在執行該第二遮罩製程之後，以ㄧ離子雜質摻雜該源極區域與該汲極區域。
    [24] 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中執行該第四遮罩製程包含：蝕刻該絕緣層；以及蝕刻該第二傳導層。
    [25] 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該第三絕緣層包含具有與該第二絕緣層不同蝕刻率之材料。
    [26] 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中執行該第五遮罩製程包含以具有與該第二傳導層不同蝕刻率之材料形成該第三傳導層。
    [27] 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中執行該第二遮罩製程亦包含藉由圖樣化該第一傳導層以形成一電容之一下電極；執行該第四遮罩製程包含藉由同時圖樣化該絕緣層與該第二傳導層以形成直接設置於該下電極之上的一介電層以及一上電極之一下傳導層；以及執行該第五遮罩製程包含藉由圖樣化該第三傳導層以形成該上電極之一上傳導層。
    [28] 如申請專利範圍第22項所述之方法，更包含在執行該第六遮罩製程之後，於已暴露之該像素電極之上形成包含一有機發光層之一中間層，且形成面對該像素電極之一相反電極以覆蓋該中間層。
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    同族专利:
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    引用文献:
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